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12063-98-8

磷化镓

中文名称: 磷化镓
英文名称: GALLIUM PHOSPHIDE
CAS: 12063-98-8 分子式: GaP 分子量: 101 EINECS号: 235-057-2
中文同义词 磷化镓 英文同义词
GALLIUM PHOSPHIDE

基本性质

折射率
2.9
形态
Solid
颜色
Pale orange
比重
4.1
电阻率 (resistivity)
~0.3 Ω-cm
水溶解性
Insoluble in water.
晶体结构
Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
Merck
14,4353
EPA化学物质信息

安全信息

危险品标志
Xi
安全说明
26
危险品运输编号
3288
RTECS号
LW9675000
F

CHS信息

生产方法及用途

化学性质
橙色透明的晶体。熔点1477℃。相对密度4.13。其离解压为3.5±1MPa。难溶于稀、浓盐酸、硝酸。是半导体。
生产方法
目前主要用高压单晶炉液体密封技术和外延方法制备磷化镓晶体。
液体密封直拉法采用高压单晶炉,将多晶磷化镓加入单晶炉的合金石英坩埚中,再经抽真空、熔化,在充以5.5 Mpa氩气压下,用三氧化二硼液封拉晶。因磷化镓分解压力很大,在典型生长条件下,有一定量的磷溢出并与三氧化二硼作用,使三氧化二硼透明性变差,并有部分冷凝在观察孔上妨碍观察,为此可用X射线扫描及称量法等来控制晶体直径,制得磷化镓单晶成品。
合成溶质扩散法(SSD法)将镓放入石英坩埚中,镓源温度在1100~1150℃之间,坩埚底部放磷化镓籽晶处温度为1000~1050℃,磷源温度为420℃,这时产生约0.1 Mpa磷蒸气压,在1150℃磷化镓的离解压为0.67Pa,所以在0.1 Mpa磷蒸气压下,磷化镓可以稳定生长。开始时,磷蒸气与处在高温的镓表面反应生成磷化镓膜。此磷化镓溶于下面的镓液中并向坩埚底部扩散,由于坩埚底部温度较低,当磷化镓超过溶解度时,就会析出晶体,如磷源足够,最后会将镓液全部变成磷化镓晶体。
磷化镓外延生长用上述方法制备的单晶主要用来作衬底。用液、气相外延方法能用来制备薄膜单晶。
磷化镓液相外延方法主要有浸渍法、转动法和滑动舟法。目前采用较多的是滑动舟法。气相外延主要有:Ga-PCI3-H2;GaHCl-PH3-H2;GaP-H2O(HCl)-H2系统和MOCVD法(金属有机热分解气相生长法)。
最近采用InP与InP;aAsP多层结构半导体开发了具有光增幅、光演算、光记忆等功能的元件。
用途
用于太阳能电池转换率高的InGaAsP/InP等半导体中。
发光二极管大量用于控制灯、显示仪表或面发光元件等,发光二极管所用磷化物半导体有GaP、GaAsP等。红色发光二极管使用GaP或GaAsP等。黄、橙色发光二极管以GaAsP为主体。
类别
有毒物品
毒性分级
低毒
急性毒性
口服-小鼠LD50: 8000 毫克/公斤
可燃性危险特性
高热产生有毒磷氧化物烟雾
储运特性
库房通风低温干燥
灭火剂
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水
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