CAS: 12063-98-8 | 分子式: GaP | 分子量: 101 | EINECS号: 235-057-2 |
折射率
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2.9
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形态
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Solid
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颜色
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Pale orange
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比重
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4.1
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电阻率 (resistivity)
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~0.3 Ω-cm
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水溶解性
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Insoluble in water.
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晶体结构
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Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
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Merck
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14,4353
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EPA化学物质信息
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化学性质 |
橙色透明的晶体。熔点1477℃。相对密度4.13。其离解压为3.5±1MPa。难溶于稀、浓盐酸、硝酸。是半导体。
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生产方法 |
目前主要用高压单晶炉液体密封技术和外延方法制备磷化镓晶体。
液体密封直拉法采用高压单晶炉,将多晶磷化镓加入单晶炉的合金石英坩埚中,再经抽真空、熔化,在充以5.5 Mpa氩气压下,用三氧化二硼液封拉晶。因磷化镓分解压力很大,在典型生长条件下,有一定量的磷溢出并与三氧化二硼作用,使三氧化二硼透明性变差,并有部分冷凝在观察孔上妨碍观察,为此可用X射线扫描及称量法等来控制晶体直径,制得磷化镓单晶成品。 合成溶质扩散法(SSD法)将镓放入石英坩埚中,镓源温度在1100~1150℃之间,坩埚底部放磷化镓籽晶处温度为1000~1050℃,磷源温度为420℃,这时产生约0.1 Mpa磷蒸气压,在1150℃磷化镓的离解压为0.67Pa,所以在0.1 Mpa磷蒸气压下,磷化镓可以稳定生长。开始时,磷蒸气与处在高温的镓表面反应生成磷化镓膜。此磷化镓溶于下面的镓液中并向坩埚底部扩散,由于坩埚底部温度较低,当磷化镓超过溶解度时,就会析出晶体,如磷源足够,最后会将镓液全部变成磷化镓晶体。 磷化镓外延生长用上述方法制备的单晶主要用来作衬底。用液、气相外延方法能用来制备薄膜单晶。 磷化镓液相外延方法主要有浸渍法、转动法和滑动舟法。目前采用较多的是滑动舟法。气相外延主要有:Ga-PCI3-H2;GaHCl-PH3-H2;GaP-H2O(HCl)-H2系统和MOCVD法(金属有机热分解气相生长法)。 最近采用InP与InP;aAsP多层结构半导体开发了具有光增幅、光演算、光记忆等功能的元件。 |
用途 |
用于太阳能电池转换率高的InGaAsP/InP等半导体中。
发光二极管大量用于控制灯、显示仪表或面发光元件等,发光二极管所用磷化物半导体有GaP、GaAsP等。红色发光二极管使用GaP或GaAsP等。黄、橙色发光二极管以GaAsP为主体。 |
类别 |
有毒物品
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毒性分级 |
低毒
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急性毒性 |
口服-小鼠LD50: 8000 毫克/公斤
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可燃性危险特性 |
高热产生有毒磷氧化物烟雾
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储运特性 |
库房通风低温干燥
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灭火剂 |
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水
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